本说明书提供了雪崩电压的测试方法、装置、系统和电子设备。具体测试前，可以在测试电路中，将阻值大于第二阈值的保护电阻与待测试的目标光电二极管串联；并将目标光电二极管布设于辅助环境中；具体测试时，可以控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，以增加目标光电二极管的PN结中的载流子，并对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；进而可以根据上述多组测试数据，确定出目标光电二极管的雪崩电压。从而能够在不使用高精度的测试仪器的情况下，准确且安全地测试出光电二极管的雪崩电压，有效地降低
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117007928 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 7.2 (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人 上海思立微电子科技有限公司 地址 201210 上海市浦东新区自由贸易试 验区张江路505号电梯楼层12楼01-08 单元（实际楼层为11楼） (72)发明人 付何洋侯永生方亚毜 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 专利代理师 童磊徐焕 (51)Int.Cl. G01R 31/26 (2014.01) 权利要求书2页 说明书15页 附图6页 (54)发明名称 雪崩电压的测试方法、装置、系统和电子设 备 (57)摘要 本说明书提供了雪崩电压的测试方法、装 置、系统和电子设备。具体测试前，可以在测试电 路中，将阻值大于第二阈值的保护电阻与待测试 的目标光电二极管串联；并将目标光电二极管布 设于辅助环境中；具体测试时，可以控制针对目 标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件， 以增加目标光电二极管的PN结中的载流子，并对 目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多 组测试数据；进而可以根据上述多组测试数据， 确定出目标光电二极管的雪崩电压。从而能够在 不使用高精度的测试仪器的情况下，准确且安全 A 地测试出光电二极管的雪崩电压，有效地降低了 8 测试成本 ，减少了测试过程对光电二极管的损 2 9 7 害。 0 0 7 1 1 N C CN 117007928 A 权利要求书 1/2页 1.一种雪崩电压的测试方法，其特征在于，包括： 将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括：光照环境和/或辅助 压差环境； 控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一 次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测试电压和测试电 流； 根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述辅助环境包括光照环境的情况下， 控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或 多次测试，以得到多组测试数据，包括： 控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光强，对目标光电二极管进行 一次或多次测试，以得到多组测试数据。 3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在控制针对目标光电二极管的光照强度大 于等于吸收饱和光强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据之前， 所述方法还包括： 确定出目标光电二极管的吸收饱和光强。 4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，确定出目标光电二极管的吸收饱和光强， 包括： 确定目标光电二极管的参考电压；控制测试电路中的输出电压为参考电压；根据第一 规则，增加光照强度，并监测测试电路中的电流变化趋势； 在监测到电流变化趋势小于第一阈值的情况下，停止增加光照强度；并将当前的光照 强度确定为目标光电二极管的吸收饱和光强。 5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述测试电路中还包含有保护电阻；其中， 所述保护电阻的阻值大于第二阈值。 6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，确定目标光电二极管的参考电压，包括： 控制针对目标光电二极管的光照强度为初始光照强度；根据第二规则，增加测试电路 中的输出电压，并监测测试电路中的电流变化幅度； 在监测到电流变化幅度大于第三阈值的情况下，停止增加输出电压；并将当前的输出 电压确定为参考电压。 7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，控制针对目标光电二极管的光照强度大于 等于吸收饱和光强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据，包括： 控制针对目标光电二极管的光照强度为吸收饱和光强，连续调整测试电路中的输出电 压，并采集得到与多个调整后的输出电压对应的多组测试数据。 8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述多组测试数据，确定目标光电二 极管的雪崩电压，包括： 根据所述多组测试数据，通过数据拟合，得到关于测试电压和测试电流的目标拟合函 数； 根据所述目标拟合函数，计算出测试电流为0时所对应的测试电压，作为目标光电二极 管的雪崩电压。 2 2 CN 117007928 A 权利要求书 2/2页 9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述辅助环境包括辅助压差环境的情况 下，控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一 次或多次测试，以得到多组测试数据，包括： 控制辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结的P型区之间的电压差大于等于预设的 电压差阈值，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，所述辅 助触发二极管设置于目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处。 10.一种雪崩电压的测试装置，其特征在于，包括： 布设模块，用于将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括：光照 环境和/或辅助压差环境； 测试模块，用于控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光 电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测 试电压和测试电流； 确定模块，用于根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 11.一种雪崩电压的测试系统，其特征在于，至少包括：测试电路、光源； 所述测试电路至少串联有目标光电二极管、测试电源、测试仪器，以及保护电阻； 所述光源在测试过程中针对目标光电二极管提供相应的光照。 12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述电源还连接有电源控制模块；所述 光源还连接有光源控制模块；其中，所述电源控制模块用于控制和调整测试电源的输出电 压；所述光源控制模块用于控制和调整光源提供给目标光电二极管的光照。 13.一种雪崩电压的测试系统，其特征在于，至少包括：测试电路、辅助电源； 所述测试电路至少串联有目标光电二极管、测试电源、测试仪器，以及保护电阻；其中， 所述目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处还设置有辅助二极管；所述辅助二极管 与辅助电源相连； 所述辅助电源在测试过程中用于控制辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结的P型 区之间的电压差大于等于预设的电压差阈值。 14.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及用于存储处理器可执行指令的存储 器，所述处理器执行所述指令时实现权利要求1至9中任一项所述方法的步骤。 15.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机指令，所述指令被处理 器执行时实现权利要求1至9中任一项所述方法的步骤。 3 3 CN 117007928 A 说明书 1/15页 雪崩电压的测试方法、装置、系统和电子设备 技术领域 [0001] 本说明书属于光电器件测试技术领域，尤其涉及雪崩电压的测试方法、装置、系统 和电子设备。 背景技术 [0002] 基于现有的测试方法在确定光电二极管的雪崩电压时，往往需要使用精度较高、 灵敏度较好的测试仪器才能准确地测试出光电二极管的雪崩电压，这样势必会导致测试成 本相对较高。并且，基于现有的测试方法，在测试过程中还很容易对光电二极管造成损坏。 [0003] 针对上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。 发明内容 [0004] 本说明书提供了雪崩电压的测试方法、装置、系统和电子设备，能够在不使用高精 度的测试仪器的情况下，准确且安全地测试出光电二极管的雪崩电压，有效地降低了测试 成本，同时也减少了测试过程对光电二极管的损坏。 [0005] 本说明书实施例提供了一种雪崩电压的测试方法，包括： [0006] 将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括：光照环境和/或 辅助压差环境； [0007] 控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进 行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测试电压和测 试电流； [0008] 根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 [0009] 在一个实施例中，在所述辅助环境包括光照环境的情况下，控制针对目标光电二 极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多 组测试数据，包括： [0010] 控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光强，对目标光电二极管 进行一次或多次测试，以得到多组测试数据。 [0011] 在一个实施例中，在控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光 强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据之前，所述方法还包括： [0012] 确定出目标光电二极管的吸收饱和光强。 [0013] 在一个实施例中，确定出目标光电二极管的吸收饱和光强，包括： [0014] 确定目标光电二极管的参考电压；控制测试电路中的输出电压为参考电压；根据 第一规则，增加光照强度，并监测测试电路中的电流变化趋势； [0015] 在监测到电流变化趋势小于第一阈值的情况下，停止增加光照强度；并将当前的 光照强度确定为目标光电二极管的吸收饱和光强。 [0016] 在一个实施例中，所述测试电路中还包含有保护电阻；其中，所述保护电阻的阻值 大于第二阈值。 4 4 CN 117007928 A 说明书 2/15页 [0017] 在一个实施例中，确定目标光电二极管的参考电压，包括： [0018] 控制针对目标光电二极管的光照强度为初始光照强度；根据第二规则，增加测试 电路中的输出电压，并监测测试电路中的电流变化幅度； [0019] 在监测到电流变化幅度大于第三阈值的情况下，停止增加输出电压；并将当前的 输出电压确定为参考电压。 [0020] 在一个实施例中，控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光强， 对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据，包括： [0021] 控制针对目标光电二极管的光照强度为吸收饱和光强，连续调整测试电路中的输 出电压，并采集得到与多个调整后的输出电压对应的多组测试数据。 [0022] 在一个实施例中，根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压，包 括： [0023] 根据所述多组测试数据，通过数据拟合，得到关于测试电压和测试电流的目标拟 合函数； [0024] 根据所述目标拟合函数，计算出测试电流为0时所对应的测试电压，作为目标光电 二极管的雪崩电压。 [0025] 在一个实施例中，在所述辅助环境包括辅助压差环境的情况下，控制针对目标光 电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得 到多组测试数据，包括： [0026] 控制辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结的P型区之间的电压差大于等于预 设的电压差阈值，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，所 述辅助触发二极管设置于目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处。 [0027] 本说明书实施例还提供了一种雪崩电压的测试装置，包括： [0028] 布设模块，用于将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括： 光照环境和/或辅助压差环境； [0029] 测试模块，用于控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目 标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应 的测试电压和测试电流； [0030] 确定模块，用于根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 [0031] 本说明书实施例还提供一种雪崩电压的测试系统，至少包括：测试电路、光源； [0032] 所述测试电路至少串联有目标光电二极管、测试电源、测试仪器，以及保护电阻； [0033] 所述光源在测试过程中针对目标光电二极管提供相应的光照。 [0034] 在一个实施例中，所述电源还连接有电源控制模块；所述光源还连接有光源控制 模块；其中，所述电源控制模块用于控制和调整测试电源的输出电压；所述光源控制模块用 于控制和调整光源提供给目标光电二极管的光照。 [0035] 本说明书实施例还提供了一种雪崩电压的测试系统，至少包括：测试电路、辅助电 源； [0036] 所述测试电路至少串联有目标光电二极管、测试电源、测试仪器，以及保护电阻； 其中，所述目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处还设置有辅助二极管；所述辅助二 极管与辅助电源相连； 5 5 CN 117007928 A 说明书 3/15页 [0037] 所述辅助电源在测试过程中用于控制辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结 的P型区之间的电压差大于等于预设的电压差阈值。 [0038] 本说明书实施例还提供了一种电子设备，包括处理器以及用于存储处理器可执行 指令的存储器，所述处理器执行所述指令时实现所述雪崩电压的测试方法的相关步骤。 [0039] 本说明书实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所 述指令被处理器执行时实现所述雪崩电压的测试方法的相关步骤。 [0040] 基于本说明书提供的雪崩电压的测试方法、装置、系统和电子设备，具体测试前， 可以在测试电路中，引入阻值大于第二阈值的保护电阻，以稳定测试过程中流经目标光电 二极管的电流；并将目标光电二极管布设于诸如光照环境和/或辅助压差环境等辅助环境 中；具体测试时，可以控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，以增加目 标光电二极管的PN结中的载流子，提高发生雪崩的概率；并对目标光电二极管进行一次或 多次测试，以得到多组测试数据；进而可以根据上述多组测试数据，确定出目标光电二极管 的雪崩电压。从而能够在不使用高精度的测试仪器的情况下，准确且安全地测试出光电二 极管的雪崩电压，有效地降低了测试成本，同时也减少了测试过程对光电二极管的损坏。 附图说明 [0041] 为了更清楚地说明本说明书实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单 地介绍，下面描述中的附图仅仅是本说明书中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人 员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 [0042] 图1是本说明书的一个实施例提供的雪崩电压的测试方法的流程示意图； [0043] 图2是基于现有的测试方法测试雪崩电压的实施例示意图； [0044] 图3是本说明书的一个实施例提供的雪崩电压的测试系统的结构组成示意图； [0045] 图4是本说明书的另一个实施例提供的雪崩电压的测试系统的结构组成示意图； [0046] 图5在一个场景示例中，应用本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法的一种 实施例的示意图； [0047] 图6是本说明书的一个实施例提供的服电子设备的结构组成示意图； [0048] 图7是本说明书的一个实施例提供的雪崩电压的测试装置的结构组成示意图； [0049] 图8是本说明书的再一个实施例提供的雪崩电压的测试系统的结构组成示意图； [0050] 图9是在一个场景示例中，应用本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法的一 种实施例的示意图； [0051] 图10是在一个场景示例中，应用本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法的一 种实施例的示意图； [0052] 图11是本说明书的另一个实施例提供的雪崩电压的测试系统的结构组成示意图； [0053] 图12是本说明书中所涉及的目标光电二极管的结构示意图； [0054] 图13是在一个场景示例中，应用本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法的一 种实施例的示意图。 具体实施方式 [0055] 为了使本技术领域的人员更好地理解本说明书中的技术方案，下面将结合本说明 6 6 CN 117007928 A 说明书 4/15页 书实施例中的附图，对本说明书实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述 的实施例仅仅是本说明书一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本说明书中的实施例， 本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于 本说明书保护的范围。 [0056] 参阅图1所示，本说明书实施例提供了一种雪崩电压的测试方法，其中，该方法具 体实施时，可以包括以下内容。 [0057] S101：将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括：光照环境 和/或辅助压差环境。 [0058] S102：控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二 极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测试电 压和测试电流。 [0059] S103：根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 [0060] 在一些实施例中，上述目标光电二极管具体可以理解为待检测确定雪崩电压的光 电二极管。上述目标光电二极管具体可以为从待检测的多个光电二极管中随机抽取的一个 光电二极管。 [0061] 其中，上述光电二极管(Photo‑Diode)具体可以是指一种由一个PN结组成的半导 体器件，具有单方向导电特性，是一种在电路中多用作将光信号转换成电信号的光电传感 器件。 [0062] 具体的，通常普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向 电流。而光电二极管是在反向电压作用下工作，且没有光照时，反向电流较为微弱，称为暗 电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。在一定范围内，光的强度越 大，反向电流也越大。通过光的变化来引起光电二极管电流变化，将光信号转换成电信号。 [0063] 具体使用光电二极管时，随着光电二极管加载的反向电压提高，空间电荷区内电 场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也会随之增加。当反向电压接近某个电压临界值 时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电 子—空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中 性原子使之电离，再产生更多的电子—空穴对。这种连锁反应继续下去，会使空间电荷区内 的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，甚至造成击穿。上述电压临界值 即为雪崩电压。 [0064] 基于现有的测试方法，采用常规的测试电路(参阅图2所示)，在测试确定光电二极 管的过程中需要使用精度较高、灵敏度较好的测试仪器，例如，电流测试精度为0.1fA的专 业的半导体器件分析仪(型号B1500A)，或者高精度的精密电流计等。这样势必会增加测试 成本。 [0065] 此外，基于现有的测试方法，参阅图2所示，由于测试电路中只连接有光电二极管、 程控电源和精密电流计，而光电二极管本身阻值相对较小，在基于现有的测试方法增加测 试电路中的输出电压时，很容易出现流经光电二极管中的电流过大，进而在光电二极管中 产生较大的热能，导致光电二极管出现损坏。 [0066] 正是注意到现有的检测方法所存在的上述问题，以及产生上述问题的根本原因， 申请人通过创造性的思考，考虑可以预先将目标光电二级光布设于诸如光照环境和/或辅 7 7 CN 117007928 A 说明书 5/15页 助压差环境等辅助环境中；同时对测试系统进行相应的改进。具体测试时，可以通过改进的 测试系统控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，增加目标光电二极管 的PN结区域中的有效载流子，提高雪崩的发生概率，减少随机性；再通过对目标光电二极管 进行一次或多次测试，来高效、精准地确定出目标光电二极管的雪崩电压。 [0067] 其中，辅助环境具体可以包括：光照环境和/或辅助压差环境等。基于上述辅助环 境，在满足相应的预设的辅助条件的情况下，可以增加目标光电二极管的PN结区域中的有 效载流子，以提高雪崩的发生概率。 [0068] 具体的，上述光照环境具体可以理解为目标光电二极管能接受到光照的环境。基 于光照环境，在满足相应的预设的辅助条件(例如，光照强度大于等于吸收饱和光强)的情 况下，可以增加目标光电二极管的PN结区域中的光生载流子。 [0069] 上述辅助压差环境具体可以理解为目标光电二极管能连接到辅助电源的环境。基 于辅助压差环境，在满足相应的预设的辅助条件(例如，设置于目标光电二极管的PN结的P 型区域的边界位置处的辅助触发二极管管与目标光电二极管的PN结的P型区之间存在电压 差；并且辅助电源还通过辅助二极管从外部向目标光电二极管内注入一定的辅助电流)的 情况下，可以增加目标光电二极管的PN结区域中的外部载流子。 [0070] 下面对光照环境和辅助压差环境两种辅助环境下的测试系统和测试方法进行分 别说明。 [0071] 在一些实施例中，在辅助环境为光照环境的情况下，参阅图3所示，构建改进的测 试系统。首先，对测试系统中的测试电路进行了改进：所述测试电路具体还可以包含有保护 电阻。其中，该保护电阻的阻值为一个大于第二阈值的较大的阻值。具体的，在测试电路中， 待检测的光电二极管可以通过串联或者其他合适的连接方式与该保护电阻相连，以便在测 试过程中能够利用该保护电阻为光电二极管分担加载在光电二极管两侧的电压，使得在测 试过程中，流经光电二极管的电流始终为一个较小的电流值(例如，1uA)，从而可以避免流 经光电二极管中的电流过大，避免光电二极管在测试过程中遭到损坏，保护了测试过程中 的光电二极管的器件安全。 [0072] 进一步，在测试系统中还引入了光源。其中，上述光源用于在测试过程中针对待检 测的光电二极管提供相应的光照。从而可以使得在测试过程中光电二极管中的电流是由光 生载流子和热生载流子共同作用形成的，而不是单独依赖热生载流子形成的。这样，即使使 用精度较低、灵敏度较差的测试仪器，例如，常规的万用表，或者低精度的电流计，也能够较 为准确地采集到测试电流，降低了测试成本。 [0073] 进而，可以利用上述测试系统，采用本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法 准确、高效地确定出目标光电二极管的雪崩电压。 [0074] 在一些实施例中，在所述辅助环境包括光照环境的情况下，控制针对目标光电二 极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多 组测试数据，具体可以包括：控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光强， 对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据。 [0075] 在一些实施例中，在控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光 强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据之前，所述方法具体还可 以包括：确定出目标光电二极管的吸收饱和光强。 8 8 CN 117007928 A 说明书 6/15页 [0076] 在一些实施例中，上述确定出目标光电二极管的吸收饱和光强，具体实施时，可以 包括以下内容： [0077] S1：确定目标光电二极管的参考电压；其中，所述参考电压大于等于雪崩电压； [0078] S2：控制测试电路中的输出电压为参考电压；根据第一规则，增加光照强度，并监 测测试电路中的电流变化趋势； [0079] S3：在监测到电流变化趋势小于第一阈值的情况下，停止增加光照强度；并将当前 的光照强度确定为目标光电二极管的吸收饱和光强。 [0080] 在一些实施例中，上述参考电压具体可以理解为一个大于等于雪崩电压但邻近雪 崩电压的电压值。 [0081] 在一些实施例中，具体测试前，可以参阅图3所示布设用于测试确定目标光电二极 管的测试系统。具体的，可以将目标光电二极管可以连入测试电路中，所述测试电路中还可 以包含有保护电阻。其中，所述保护电阻的阻值大于的第二阈值。具体的，上述保护电阻的 阻值远大于目标光电二极管的阻值。例如，上述第二阈值可以为200千欧，上述保护电阻的 阻值可以为250千欧等。当然，上述所列举的保护电阻和第二阈值只是一种示意性说明。具 体实施实施，根据具体情况和处理需求，还可以选择其他合适的阻值，但远大于光电二极管 的阻值的电阻作为上述保护电阻。 [0082] 进一步，参阅图3所示，上述测试电路还可以串联有测试电源，以及测试仪器，例 如，电流计等。所述测试电源用于提供测试电路的输出电压，所述测试仪器用于测量采集测 试电路中的测试电流。需要说明的是，测试电路中所连接的测试仪器可以为精度较低、灵敏 度较差的电流测试仪器。 [0083] 在所述测试电路之外，还可以布设有针对目标光电二极管提供光照的光源。 [0084] 参阅图4所示，测试电源还可以连接有电源控制模块，用于具体控制和调整测试电 源的输出电压。 [0085] 光源还连接有光源控制模块，用于具体控制和调整光源照射到目标光电二极管的 光照强度。 [0086] 在一些实施例中，具体实施时，可以利用上述测试系统，在向目标光电二极管提供 初始光照的情况下，确定出目标光电二极管的参考电压。 [0087] 在一些实施例中，上述确定目标光电二极管的参考电压，具体实施时，可以包括以 下内容： [0088] S1：控制针对目标光电二极管的光照强度为初始光照强度；根据第二规则，增加测 试电路中的输出电压，并监测测试电路中的电流变化幅度； [0089] S2：在监测到电流变化幅度大于第三阈值的情况下，停止增加输出电压；并将当前 的输出电压确定为参考电压。 [0090] 在一些实施例中，所述初始光照强度大于等于50Lux，且小于等于100Lux，例如， 60Lux。当然，需要说明的是，上述所列举的初始光照强度只是一种示意性说明。具体实施 时，可以根据目标光电二极管的具体参数灵活设置初始光照强度。对此，本说明书不作限 定。在一些情况下，上述初始光照强度还可以是一个光照强度范围，例如，[50Lux，100Lux]。 [0091] 在一些实施例中，在具体确定目标光二极管的参考电压过程中，可以先通过电源 控制模块控制光源照射到目标光电二极管的光照强度维持在初始光照强度；再根据第二规 9 9 CN 117007928 A 说明书 7/15页 则，按照第二步长(例如，1V/次)，通过电源控制模块控制测试电源的输出电压从0V开始，逐 次增加输出电压，进行一次或多次测试。 [0092] 每次测试时，在按照第二步长增加输出电压之后，可以通过测试仪器监测在当前 次增加输出电压后流经测试电路中的电流；并通过计算当前次的电流与邻近上一次的电流 之间的差值，得当前次的电流变化幅度；再判断当前次的电流变化幅度是否较大，例如，是 否大于第三阈值。 [0093] 在监测到当前次的电流变化幅度小于等于第三阈值的情况下，确定当前的输出电 压还未超过雪崩电压，可以重复上述操作，进行下一次的测试。相反，在监测到当前次的电 流变化幅度大于第三阈值的情况下，可以确定流经测试电路中的目标光电二极管的电流出 现了跳变，当前的输出电压已经大于或等于雪崩电压，进而停止后续测试；并将当前的输出 电压确定为所述参考电压。其中，上述第三阈值的具体数值可以根据目标光电二极管的参 数确定。 [0094] 在一些实施例中，可以利用上述测试系统、参考电压，确定出目标光电二极管的吸 收饱和光强。 [0095] 具体实施时，可以通过电源控制模块控制测试电源的输出电压保持在参考电压； 再根据第一规则，通过光源控制模块按照第二步长逐次增加光源照射到目标光电二极管的 光照强度；并监测测试电路中的电流变化趋势。 [0096] 每次增加照射到目标光电二极管的光照强度之后，可以通过测试仪器采集到流经 测试电路中的当前的电流；并利用当前的电流，与之前采集到的电流，计算当前的电流变化 趋势；并将当前的电流变化趋势与第一阈值进行比较。 [0097] 在监测到当前的电流变化趋势大于第一阈值的情况下，可以确定当前目标光电二 极管光吸收还未达到饱和状态，进而可以重复上述方式，再次增加照射到目标光电二极管 的光照强度，以再次监测。相反，在监测到当前的电流变化趋势小于等于第一阈值的情况 下，可以确定当前目标光电二极管光吸收已经达到饱和状态，后续再增加光照强度，电流也 不再增加，这时，可以停止增加光照强度，并将当前的光照强度确定为目标光电二极管的吸 收饱和光强。其中，所述第一阈值可以为一个接近于0的极小值。 [0098] 在一些实施例中，上述控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光 强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据，可以包括：控制针对目 标光电二极管的光照强度为吸收饱和光强，通过连续调整测试电路中的输出电压(或多次 调整测试电路中的输出电压)，并采集得到与多个调整后的输出电压对应的多组测试数据。 其中，所述多组测试数据中各组测试数据分别对应一个调整后的输出电压，包含有与该输 出电压对应的一对测试电压和测试电流。 [0099] 在一些实施例中，具体实施时，可以通过光源控制模块控制光源照射到目标光电 二极管的光照强度大于或等于吸收饱和光强，以使得目标光电二极管中能够产生足够的光 生载流子。再多次调整测试电路中的输出电压，以进行一次或多次测试，以采集得到多组测 试数据。其中，每组测试数据包含有相对应的一组测试电压和测试电流。每组测试数据对应 一次测试。 [0100] 具体的，在当前次通过电源控制模块调整测试电路中测试电源的输出电压之后， 可以将当前的输出电压确定为当前次的测试电压；同时，通过测试仪器采集当前流经测试 10 10 CN 117007928 A 说明书 8/15页 电路中的电流作为当前次的测试电流；再组合当前次的测试电压和当前次的测试电流，得 到针对当前次测试的一组测试数据。 [0101] 在一些实施例中，具体实施时，可以根据调整规则，对测试电路中的输出电压进行 多次调整，以得到多组测试数据。其中，所述调整次数大于等于2。 [0102] 在一些实施例中，具体实施时，还可以根据调整规则，对测试电路中的输出电压进 行连续调整，以得到多组测试数据。 [0103] 具体的，在根据调整规则调整输出电压时，可以在上一次的输出电压的基础上随 机增加一个电压值，作为当前次的输出电压；也可以在上一次的输出电压的基础上固定增 加一个电压值，作为当前次的输出电压等等。还可以基于预设的梯度调整算法或者随机调 整算法，来自动控制对测试电路中输出电压的调整。 [0104] 在一些实施例中，上述根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压， 具体实施时，可以包括以下内容：根据所述多组测试数据，通过数据拟合，得到关于测试电 压和测试电流的目标拟合函数；根据所述目标拟合函数，计算出测试电流为0时所对应的测 试电压，作为目标光电二极管的雪崩电压。 [0105] 在一些实施例中，在得到多组测试数据之后，所述方法具体实施时，还可以包括以 下内容：从多组测试数据中筛选出精度符合要求的测试数据；再根据筛选后的测试数据，通 过数据拟合，得到误差相对较小、精度相对较高的目标拟合函数。 [0106] 例如，由于使用的电流计精度较低，有效的精度测量范围为：0到5V。相应的，可以 从多组测试数据中筛选出测试电压小于5V的测试数据，得到筛选后的测试数据；进而可以 利用筛选后的测试数据，拟合得到用于确定雪崩电压的目标拟合函数。 [0107] 在一些实施例中，上述根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压， 具体实施时，还可以包括以下内容：将所述多组测试数据投射到以测试电流和测试电压作 为坐标轴的坐标平面中，得到多个测试点；连接所述多个测试点，得到目标拟线；确定所述 目标拟合线与目标坐标轴的截距，作为所述目标光电二极管的雪崩电压；其中，所述目标坐 标轴为与测试电压对应的坐标轴。 [0108] 具体的，参阅图5所示，可以将所采集到的多组测试投射到以测试电流为纵轴，以 测试电压为横轴的坐标平面中，得到多个分离的测试点；再连接上述多个测试点，得到一条 经过上述多个测试点的目标拟合线。进一步，可以在坐标平面中，找到该目标拟合线与对应 测试电压的横轴之间的交点；并读取该交点在横轴上所对应的电压值，作为目标光电二极 管的雪崩电压。 [0109] 通过上述实施例，可以通过将目标光电二极管布设于光照环境中，并控制针对目 标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，以增加目标光电二极管的PN结区域中的光 生载流子，从而可以不需要使用高精度的测试仪器，就能简便、高效地确定出精度较高的目 标光电二极管的雪崩电压。 [0110] 在一些实施例中，在辅助环境为辅助压差环境的情况下，对应的测试系统参阅图 11所示，可以不使用光源，而是从外部引入辅助电源与目标光电二极管相连。其中，该辅助 电源可以为区别于测试电路中的测试电源的另外一个独立电源。在一些情况下，上述辅助 电源和测试电源也可以为同一个外部电源。该测试系统中所使用的测试电路可以与光照环 境下的测试系统中的测试电路相同。对于测试电路，本说明书不作赘述。 11 11 CN 117007928 A 说明书 9/15页 [0111] 在该测试系统中，上述目标光电二极管的具体结构可以参阅图12所示，包括：P型 区(例如，P+区)、N型区(例如，N+区)、基底(例如，Substrate)、P阱(例如，P‑Well)，以及STI (例如，shallow trench isolation，浅槽隔离)等。具体测试时，上述目标光电二极管中的P 型区可以与测试电源的阳极(例如，Anode)相连，N型区可以为测试电源的阴极(例如， Cathode)相连。 [0112] 参阅图13所示，在该测试系统中，在目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处 还设置有辅助二极管(可以记为Trigger diode N+)。具体的。上述辅助二极管具体可以是 目标光电二极管原本就自带的结构，也可以测试时另外设置的结构。 [0113] 具体设置辅助二极管时，可以将辅助二极管设置于目标光电二极管的PN结的P型 区中的P+区的边界位置处。进一步，还可以将上述辅助二极管设置于目标光电二极管的PN 结的P型区中的P+区的边界的角点位置处。 [0114] 由于上述辅助二极管设置于目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处，不会 与目标光电二极管的PN结的P+区直接相连；而且辅助二极管的N+区还可以与目标光电二极 管的PN结的P+区构成一个小的PN结。这样，当辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结的P 型区之间存在一定的电压差，辅助电源通过辅助二极管注入的辅助电流可以流入目标光电 二极管的P‑Well(P阱)中，增加P‑Well中的载流子。相应的，在具体测试时，P‑Well中也会有 更多的载流子可以进入雪崩耗尽区，从而提高发生雪崩的概率。 [0115] 在一些实施例中，在所述辅助环境包括辅助压差环境的情况下，控制针对目标光 电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得 到多组测试数据，具体实施时，可以包括以下内容：控制辅助触发二极管与目标光电二极管 的PN结的P型区之间的电压差大于等于预设的电压差阈值，以通过所述辅助触发二极管注 入辅助电流，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，所述辅 助触发二极管设置于目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处。 [0116] 其中，上述预设的电压差阈值具体可以是较小值。只要控制辅助触发二极管与目 标光电二极管的PN结的P型区之间存在一定的电压差即可。 [0117] 上述辅助电流具体可以为1mA。外部的辅助电源可以通过辅助二极管向目标光电 二级光内部注入辅助电流，以对目标光电二极管额外输入外部载流子，以增加P‑Well中的 载流子。进而可以目标光电二极管内部的P‑Well具有较多载流子的情况下，再对目标光电 二极管进行一次或多次测试，以提高发生雪崩的概率，减少随机性，采集得到多组测试数 据；再根据多组测试数据，确定出目标光电二极管的雪崩电压。 [0118] 在辅助压差环境中，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数 据；以及根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压，与光照环境中的相同。 对于辅助压差环境中如何对目标光电二极管进行测试，以及如何根据测试数据确定雪崩电 压，可以参阅光照环境中的相关实施例。本说明书不做赘述。 [0119] 通过上述实施例，可以通过将目标光电二极管布设于辅助压差环境中，并控制针 对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，以增加目标光电二极管的PN结区域中 的外部载流子，从而可以不需要使用高精度的测试仪器，就能简便、高效地确定出精度较高 的目标光电二极管的雪崩电压。 [0120] 由上可见，基于本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法，具体测试前，可以在 12 12 CN 117007928 A 说明书 10/15页 测试电路中，将阻值大于第二阈值的保护电阻连入待测试的目标光电二极管所在的测试电 路中；同时，还可以将目标光电二极管布设于诸如光照环境和/或辅助压差环境等辅助环境 中。具体测试时，可以通过控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光强，以 满足光照环境中的预设的辅助条件，增加目标光电二极管中的载流子；和/或，控制辅助触 发二极管与目标光电二极管的PN结的P型区之间的电压差大于等于预设的电压差阈值，以 通过所述辅助触发二极管注入辅助电流，以满足辅助压差环境中的预设的辅助条件，增加 目标光电二级管中的载流子；再对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试 数据；进而可以根据上述多组测试数据，确定出目标光电二极管的雪崩电压。从而能够在不 使用高精度的测试仪器的情况下，准确且安全地测试出光电二极管的雪崩电压，有效地降 低了测试成本，减少了测试过程对光电二极管的损害。 [0121] 本说明书实施例还提供一种电子设备，包括处理器以及用于存储处理器可执行指 令的存储器，所述处理器具体实施时可以根据指令执行以下步骤：将目标光电二极管布设 于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括：光照环境和/或辅助压差环境；控制针对目标光电 二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到 多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测试电压和测试电流；根据所述多组测试 数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 [0122] 为了能够更加准确地完成上述指令，参阅图6所示，本说明书实施例还提供了另一 种具体的电子设备，其中，所述电子设备包括网络通信端口601、处理器602以及存储器603， 上述结构通过内部线缆相连，以便各个结构可以进行具体的数据交互。 [0123] 其中，所述网络通信端口601，具体可以用于接收关于目标光电二极管的雪崩电压 的测试指令。 [0124] 所述处理器602，具体可以用于响应所述测试指令，将目标光电二极管布设于辅助 环境中；其中，所述辅助环境包括：光照环境和/或辅助压差环境；控制针对目标光电二极管 的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测 试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测试电压和测试电流；根据所述多组测试数据， 确定目标光电二极管的雪崩电压。 [0125] 所述存储器603，具体可以用于存储相应的指令程序。 [0126] 在本实施例中，所述网络通信端口601可以是与不同的通信协议进行绑定，从而可 以发送或接收不同数据的虚拟端口。例如，所述网络通信端口可以是负责进行web数据通信 的端口，也可以是负责进行FTP数据通信的端口，还可以是负责进行邮件数据通信的端口。 此外，所述网络通信端口还可以是实体的通信接口或者通信芯片。例如，其可以为无线移动 网络通信芯片，如GSM、CDMA等；其还可以为Wifi芯片；其还可以为蓝牙芯片。 [0127] 在本实施例中，所述处理器602可以按任何适当的方式实现。例如，处理器可以采 取例如微处理器或处理器以及存储可由该(微)处理器执行的计算机可读程序代码(例如软 件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式等等。本说明书并 不作限定。 [0128] 在本实施例中，所述存储器603可以包括多个层次，在数字系统中，只要能保存二 进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也 13 13 CN 117007928 A 说明书 11/15页 叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡 等。 [0129] 本说明书实施例还提供了一种基于上述雪崩电压的测试方法的计算机存储介质， 所述计算机存储介质存储有计算机程序指令，在所述计算机程序指令被执行时实现以下步 骤：将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅助环境包括：光照环境和/或辅助压 差环境；控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅助条件，对目标光电二极管进 行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数据包含相对应的测试电压和测 试电流；根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压。 [0130] 在本实施例中，上述存储介质包括但不限于随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、只读存储器(Read‑Only Memory,ROM)、缓存(Cache)、硬盘(Hard Disk Drive,HDD)或者存储卡(Memory Card)。所述存储器可以用于存储计算机程序指令。网络通 信单元可以是依照通信协议规定的标准设置的，用于进行网络连接通信的接口。 [0131] 在本实施例中，该计算机存储介质存储的程序指令具体实现的功能和效果，可以 与其它实施方式对照解释，在此不再赘述。 [0132] 参阅图7所示，在软件层面上，本说明书实施例还提供了一种雪崩电压的测试装 置，该装置具体可以包括以下的结构模块： [0133] 布设模块701，具体可以用于将目标光电二极管布设于辅助环境中；其中，所述辅 助环境包括：光照环境和/或辅助压差环境； [0134] 测试模块702，具体可以用于控制针对目标光电二极管的辅助环境满足预设的辅 助条件，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，一组测试数 据包含相对应的测试电压和测试电流； [0135] 确定模块703，具体可以用于根据所述多组测试数据，确定目标光电二极管的雪崩 电压。 [0136] 在一些实施例中，在所述辅助环境包括光照环境的情况下，测试模块702，具体实 施时，可以控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光强，对目标光电二极 管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据。 [0137] 在一些实施例中，在控制针对目标光电二极管的光照强度大于等于吸收饱和光 强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到多组测试数据之前，所述测试模块702 具体可以先确定出目标光电二极管的吸收饱和光强。 [0138] 在一些实施例中，所述测试模块702具体实施时，可以按照以下方式确定出目标光 电二极管的吸收饱和光强：确定目标光电二极管的参考电压；其中，所述参考电压大于等于 雪崩电压；控制测试电路中的输出电压为参考电压；根据第一规则，增加光照强度，并监测 测试电路中的电流变化趋势；在监测到电流变化趋势小于第一阈值的情况下，停止增加光 照强度；并将当前的光照强度确定为目标光电二极管的吸收饱和光强。 [0139] 在一些实施例中，所述测试电路中还包含有保护电阻；其中，所述保护电阻的阻值 大于第二阈值。 [0140] 在一些实施例中，所述测试模块702具体实施时，可以按照以下方式确定目标光电 二极管的参考电压：控制针对目标光电二极管的光照强度为初始光照强度；根据第二规则， 增加测试电路中的输出电压，并监测测试电路中的电流变化幅度；在监测到电流变化幅度 14 14 CN 117007928 A 说明书 12/15页 大于第三阈值的情况下，停止增加输出电压；并将当前的输出电压确定为参考电压。 [0141] 在一些实施例中，所述初始光照强度具体可以大于等于50Lux，且小于等于 100Lux。 [0142] 在一些实施例中，所述测试模块702具体实施时，可以按照以下方式控制针对目标 光电二极管的光照强度为吸收饱和光强，对目标光电二极管进行一次或多次测试，以得到 多组测试数据：控制针对目标光电二极管的光照强度为吸收饱和光强，连续调整测试电路 中的输出电压，并采集得到与多个调整后的输出电压对应的多组测试数据。 [0143] 在一些实施例中，所述确定模块703具体实施时，可以按照以下方式根据所述多组 测试数据，确定目标光电二极管的雪崩电压：根据所述多组测试数据，通过数据拟合，得到 关于测试电压和测试电流的目标拟合函数；根据所述目标拟合函数，计算出测试电流为0时 所对应的测试电压，作为目标光电二极管的雪崩电压。 [0144] 在一些实施例中，在所述辅助环境包括辅助压差环境的情况下，测试模块702，具 体实施时，可以控制辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结的P型区之间的电压差大于 等于预设的电压差阈值，并通过所述辅助触发二极管注入辅助电流，对目标光电二极管进 行一次或多次测试，以得到多组测试数据；其中，所述辅助触发二极管设置于目标光电二极 管的PN结的P型区的边界位置处。 [0145] 需要说明的是，上述实施例阐明的单元、装置或模块等，具体可以由计算机芯片或 实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。为了描述的方便，描述以上装置时以功能分 为各种模块分别描述。当然，在实施本说明书时可以把各模块的功能在同一个或多个软件 和/或硬件中实现，也可以将实现同一功能的模块由多个子模块或子单元的组合实现等。以 上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划 分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另 一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直 接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性， 机械或其它的形式。 [0146] 由上可见，基于本说明书实施例提供的雪崩电压的测试装置，通过将目标光电二 极管布设于辅助环境中，并控制满足相应的预设的辅助条件，可以有效增加目标光电二极 管中管的载流子，提高发生雪崩的概率，减少随机性，从而能够在不使用高精度的测试仪器 的情况下，准确且安全地测试出光电二极管的雪崩电压，有效地降低了测试成本，减少了测 试过程对光电二极管的损害。 [0147] 参阅图3所示，本说明书实施例还提供了一种雪崩电压的测试系统，至少包括：测 试电路、光源；其中，所述测试电路至少串联有目标光电二极管、测试电源、测试仪器，以及 保护电阻；所述光源在测试过程中针对目标光电二极管提供相应的光照。所述测试仪器用 于在测试过程中测试采集相应的电流数据。利用该测试系统中的光源可以触发目标光电二 级管内部形成光生载流子。 [0148] 在一些实施例中，参阅图4所示。所述电源还连接有电源控制模块。所述光源还连 接有光源控制模块。所述电源控制模块用于控制和调整测试电源的输出电压。所述光源控 制模块用于控制和调整光源提供给目标光电二极管的光照。 [0149] 在一些实施例中，所述测试仪器可以为精度较低的电流计或万用表等成本较低的 15 15 CN 117007928 A 说明书 13/15页 测试仪器。当然，在不考虑成本的情况下，也可以精度较高、成本较高的其他类型的测试仪 器。 [0150] 在一些实施例中，可以采用程控电源作为测试电路中的测试电源。 [0151] 在一些实施例中，还可以采用程控电流计(精度满足0.1uA即可)作为测试仪器，以 实现自动化测试，自动高效测试得到多组用于确定雪崩电压的多组测试数据。 [0152] 具体的，基于上述程控电流计所需要采集的测试数据的组数可以小于15组，总耗 时只需要2至3秒，从而可以有效地提高整体的测试效率。 [0153] 在一些实施例中，所述测试电路还连接有数据采集模块(负责数据采集的程序算 法模块)。 [0154] 参阅图8所示，具体实施时，可以利用上述测试系统控制针对目标光电二极管的光 照强度为吸收饱和光强，对目标光电二极管进行一次或多次测试；通过数据采集模块得到 多组测试数据，并根据所采集到的多组测试数据，自动且准确地确定出目标光电二极管的 雪崩电压。 [0155] 具体的，基于上述测试系统，通过一次或多次测试所得到的多组测试数据可以存 储于数据采集模块。上述数据采集模块还可以与处理器相连。相应的，处理器可以通过数据 采集模块获取多组测试数据；并根据上述多组测试数据，确定出目标光电二极管的雪崩电 压。 [0156] 参阅图11所示，本说明书实施例还提供了一种雪崩电压的测试系统，至少包括：测 试电路、辅助电源。所述测试电路至少可以串联有目标光电二极管、测试电源、测试仪器，以 及保护电阻。其中，参阅图13所示，所述目标光电二极管的PN结的P型区的边界位置处还设 置有辅助二极管；所述辅助二极管与辅助电源相连；所述辅助电源在测试过程中用于控制 辅助触发二极管与目标光电二极管的PN结的P型区之间的电压差大于等于预设的电压差阈 值，并通过所述辅助触发二极管注入辅助电流。利用该测试系统中的辅助电源可以向目标 光电二极管提供外部载流子，以增加目标光电二极管的P‑Well中的载流子。 [0157] 类似的，所述测试电路还可以连接有诸如数据采集模块、针对测试电源的空子模 块、针对辅助电源的控制模块等其他相关结构。 [0158] 在一个具体的场景示例中，可以应用本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方 法、装置、系统和电子设备准确地测试出光电二极管的雪崩电压。具体实施过程可以包括以 下内容。 [0159] 具体测试前，在测试系统的测试电路采用普通的电压源作为测试电源，串入普通 的万用表(精度0.1uA)作为测试仪器来测电流，其中，电压测试范围13.8V‑17.8V，使用的固 定步长可以为1V。 [0160] 具体测试时，可以参阅图9所示，进行具体测试操作。 [0161] 初始时，控制光源输出一定光照(控制针对目标光电二极管的光照强度为初始光 照强度)，并调节测试电源，逐步增加电压输出，读取每个电压下的电流值，当电流值超过设 定值(例如，电流变化幅度大于第三阈值)时，表示此时电压U’(即，参考电压)已经超过光电 二极管的雪崩电压。 [0162] 接着，保持该电压U’，加大光源光强直到电流计数据不再增加，表示此时的光强已 达到光电二极管吸收饱和值。 16 16 CN 117007928 A 说明书 14/15页 [0163] 然后，保持该光照强度，调节测试电源输出一个电压值(例如，测试电压)，并读取 对应电压的电流值(例如，测试电流)，得到一组对应的测试数据。通过多次调节测试电源， 可以得到多组测试数据。 [0164] 最后，可以根据多组测试数据，确定出光电二极管的雪崩电压值。 [0165] 具体的，可以参阅图10所述，根据多组测试数据，可以先画出测试数据的散点图， 并拟合出线性函数(例如，目标拟合函数)；再计算该线时对应的电压 值，从而可以得到该光电二极管雪崩电压值。 [0166] 具体实施时，例如，可以取13.8V以上的测试数据(13.8V以下的电流数据，超出万 用表精度量程，准确度较低，故舍弃不用)，画出5个数据散点图；再基于上述5个数据点，线 性拟合出对应的直线] 接着基于上述直线V，即得到光电二极管的雪 崩电压。 [0168] 利用高精度的测试仪器通过对比测试验证，可以确定在本场景示例中采用上述方 法所确定出的雪崩电压值误差为±1mV，从而可以验证本说明书实施例提供的雪崩电压的 测试方法具有较高的精度。并且，测试过程只需测量少数电压点的电流，测试时间短；测试 过程对测试仪器电流精度要求低，成本低。 [0169] 基于本说明书实施例提供的雪崩电压的测试方法测量装置简单，测试过程快速准 确，效率高，适合量产测试；同时，对测试仪器精度要求不高，成本较低；此外，还由于引入大 阻值保护电阻对测试电路进行限流，可以减少测试过程对光电二极管等器件的损伤风险， 可以实现光电二极管产品的全覆盖测试。 [0170] 虽然本说明书提供了如实施例或流程图所述的方法操作步骤，但基于常规或者无 创造性的手段可以包括更多或者更少的操作步骤。实施例中列举的步骤顺序仅仅为众多步 骤执行顺序中的一种方式，不代表唯一的执行顺序。在实际中的装置或客户端产品执行时， 可以按照实施例或者附图所示的方法顺序执行或者并行执行(例如并行处理器或者多线程 处理的环境，甚至为分布式数据处理环境)。术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在 涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、产品或者设备不仅包括那些 要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、产品或者设 备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，并不排除在包括所述要素的过程、方法、产品 或者设备中还存在另外的相同或等同要素。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任 何特定的顺序。 [0171] 本领域技术人员也知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现控制器以外，完 全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制器以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程 逻辑控制器和嵌入微控制器等的形式来实现相同功能。因此这种控制器可以被认为是一种 硬件部件，而对其内部包括的用于实现各种功能的装置也可以视为硬件部件内的结构。或 者甚至，可以将用于实现各种功能的装置视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件 部件内的结构。 [0172] 本说明书可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程 序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、 组件、数据结构、类等等。也可以在分布式计算环境中实践本说明书，在这些分布式计算环 17 17 CN 117007928 A 说明书 15/15页 境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模 块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。 [0173] 通过以上的实施例的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到本说明书可 借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本说明书的技术方案本 质上可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如ROM/ RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，移动终端， 服务器，或者网络设备等)执行本说明书各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。 [0174] 本说明书中的各个实施例采用递进的方式描述，各个实施例之间相同或相似的部 分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。本说明书可用于 众多通用或专用的计算机系统环境或配置中。例如：个人计算机、服务器计算机、手持设备 或便携式设备、平板型设备、多处理器系统、基于微处理器的系统、置顶盒、可编程的电子设 备、网络PC、小型计算机、大型计算机、包括以上任何系统或设备的分布式计算环境等等。 [0175] 虽然通过实施例描绘了本说明书，本领域普通技术人员知道，本说明书有许多变 形和变化而不脱离本说明书的精神，希望所附的权利要求包括这些变形和变化而不脱离本 说明书的精神。 18 18 CN 117007928 A 说明书附图 1/6页 图1 图2 图3 19 19 CN 117007928 A 说明书附图 2/6页 图4 图5 图6 20 20 CN 117007928 A 说明书附图 3/6页 图7 图8 21 21 CN 117007928 A 说明书附图 4/6页 图9 图10 22 22 CN 117007928 A 说明书附图 5/6页 图11 图12 23 23 CN 117007928 A 说明书附图 6/6页 图13 24 24
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